Смоляков Д.А.

Смоляков Дмитрий Александрович, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник лаборатории радиоспектроскопии и спиновой электроники Института физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН), что электрическое сопротивление под действием магнитного поля в полупроводниковых структурах зависит от наличия примесей в кремниевых подложках. Ученый отмечают, что эффект магнитосопротивления и обнаруженные эффекты можно применять при разработке и изготовлении электронных устройств, к примеру, датчиков и сенсоров магнитного поля, подобные устройства находятся в жестком диске памяти компьютера и в мобильных телефонах. Результаты исследования опубликованы в журнале Materials Science in Semiconductor Processing.